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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後， 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現， 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘，p 型膜層呈現微 晶化的結構，其導電率可…
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術，作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示，非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面，以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
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首先利用溶膠-凝膠法製備氧化矽散射層，藉改變氨水濃度、乙醇比例、分散劑劑量等氧化矽膠體合成條件，探討製備出的氧化矽球體散射層表面形態及其透光特性。實驗結果顯示，當控制氧化矽粒徑為400 nm、分…